Ülimalt praktilised näpunäited: elektrooniliste komponentide kontrollinõuded ja meetodid{0}}pooljuhtseadmed (2-Mis on triood 2)

https://www.kaichuanpower.com/

Väljaefektiga toru: MOS-väljaefektiga toru on metalloksiid-pooljuht-väljaefektiga toru, ingliskeelne lühend on MOSFET (Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect-Transistor), mis on isoleeritud väravatüüp.
The basic working principle of the metal oxide semiconductor field effect transistor is to rely on the electric field effect on the surface of the semiconductor to induce a conductive channel in the semiconductor to work. When the gate G voltage VG increases, the majority carriers and holes on the surface of the p-type semiconductor gradually decrease and are exhausted, while the electrons gradually accumulate to the inversion type. When the surface reaches inversion, the electron accumulation layer will form a conductive channel between the n+ source region S and the n+ drain region D. When VDS≠0, a large current IDS flows between the source and drain electrodes. The gate-source voltage required to make the semiconductor surface reach a strong inversion state is called the threshold voltage VT. When VGS>VT võtab erinevaid väärtusi, inversioonikihi juhtivus muutub ja sama VDS-i all genereeritakse erinevad IDS-id, realiseerides paisu-allika pinge VGS juhtimise allika äravoolu voolul IDS.
Väljaefektide klassifikatsioon: väljatransistorid hõlmavad peamiselt ristmikväljatransistore (JFET) ja isoleeritud paisuga väljatransistore (IGFET). Isoleeritud paisuga väljatransistori substraat (B) on ühendatud allikaga (S). Selle kolm poolust on värav (G), äravool (D) ja allikas (S). Transistorid jagunevad NPN- ja PNP-transistoriteks ning nende kolm poolust on alus (b), kollektor (c) ja emitter (e). Väljatransistori G, D ja S poolustel on sarnased funktsioonid transistori b, c ja e poolustega. Erinevus isoleeritud paisu tüüpi efekttransistoride ja ristmiktüüpi väljatransistoride vahel seisneb selles, et nende juhtivusmehhanismid ja voolu juhtimise põhimõtted on põhimõtteliselt erinevad. Ühendustüüpi torud kasutavad tühjenduspiirkonna laiuse muutust juhtiva kanali laiuse muutmiseks, et juhtida äravooluvoolu. Isolatsioonivärava väljaefekti transistorid kasutavad elektrivälja efekti pooljuhi pinnal ja elektriliselt indutseeritud laengu kogust juhtiva kanali muutmiseks voolu juhtimiseks. Omaduste erinevus tähendab, et ühendusväljatransistore kasutatakse sageli võimsusvõimendite sisendastmes (eelastmes), isoleeritud paisuga väljatransistore aga võimsusvõimendite lõppastmes (väljundastmes). Väljatransistori tööpõhimõte on sama, mis trioodil, ainult et üks neist on pingega juhitav komponent ja teine ​​vooluga juhitav komponent. Väljatransistoril on ainult üks PN-siirde, nagu on näidatud joonisel 1-1